수직형 반도체 장치

Vertical semiconductor devices

Abstract

수직형 반도체 장치는 기판의 상면과 수직한 제1 방향을 따라 상기 기판 상에서 연장하는 채널 구조물; 및 상기 제1 방향을 따라 상기 채널 구조물 측면 상에서 서로 이격되도록 순차적으로 형성된 그라운드 선택 라인, 워드 라인들 및 스트링 선택 라인;을 포함하고, 상기 그라운드 선택 라인 및 상기 기판 상면 사이의 상기 채널 구조물 측벽 부분이 측방향으로 돌출되어 돌출 영역이 정의된다. 상기 수직형 반도체 장치는 전기적 특성이 우수하다.

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