Semiconductor device and method for manufacutring the same

반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법

Abstract

The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same and, specifically, to a semiconductor device with improved rigidity and moisture permeation resistance on a sealing part and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the semiconductor device comprises: a stacking step for staking an unsealed semiconductor stack on a substrate; a depositing step of mounting the unsealed semiconductor stack in a reaction chamber, and depositing an unhardened sealing layer on the semiconductor stack by injecting source gas for the sealing part into the reaction chamber; and a hardening step of hardening the unhardened sealing layer inside the reaction chamber, wherein the source gas for the sealing part is hexamethyldisiloxane (HMDSO). In the depositing step, plasma is applied inside the reaction chamber while the source gas for the sealing part and oxygen supplying material gas are being supplied to the reaction chamber.
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 봉지부의 강성을 향상시키고 투습 방지성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은, 반도체 장치의 제조방법으로서, 기판 위에 미봉지된 반도체 스택을 적층하는 적층단계; 상기 미봉지된 반도체 스택을 반응챔버에 안치시킨 후, 상기 반응챔버 내부에 봉지부용 소스가스를 주입하여 반도체 스택의 상부에 미경화된 봉지층을 증착하는 증착단계; 및 상기 반응챔버 내부에서 상기 미경화된 봉지층을 경화하는 경화단계;를 포함하고, 상기 봉지부용 소스가스는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)이고, 상기 증착단계는, 상기 반응챔버 내부에 상기 봉지부용 소스가스 및 산소 공급물질 가스를 공급하면서 상기 반응챔버 내부에 플라즈마를 인가하도록 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.

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