탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Abstract

탄화규소 반도체 장치에 있어서, 트렌치(6) 저부의 코너부에 p형의 SiC층(7)을 설치한다. 이에 따라, MOSFET의 오프 시에 드레인―게이트 간에 전계가 걸려도 p형의 SiC층(7)과 n - 형 드리프트층(2)의 PN접합부에서의 공핍층이 n - 형 드리프트층(2)측으로 크게 신장하여, 드레인 전압의 영향에 의한 고전압이 게이트 절연막(8)에 들어가기 어려워진다. 따라서, 게이트 절연막(8) 내에서의 전계 집중을 완화할 수 있어서, 게이트 절연막(8)이 파괴되는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 이 경우, p형의 SiC층(7)이 플로팅 상태가 되는 일도 있지만, p형의 SiC층(7)은 트렌치(6) 저부의 코너부에만 형성되어 있어서, 트렌치(6)의 저부 전역에 형성되어 있는 구조와 비교하여 형성 범위가 좁다. 이 때문에, 스위칭 특성의 악화도 비교적 작게 완료된다.

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